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英飛凌IGBT高頻變頻IGBT FF100R12KS4

發布于 2020年12月16日

[摘要]英飛凌IGBT高頻變頻IGBT FF100R12KS4 產品資料及價格:13310877936 15986817212 QQ 1335738852翁小姐

英飛凌IGBT高頻變頻IGBT  FF100R12KS4 

 產品資料及價格:13310877936 15986817212  QQ 1335738852翁小姐 

制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: N
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流:                400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封裝 / 箱體: 62 mm
工作溫度: - 40 C
工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
技術: Si
寬度: 61.4 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules  

英飛凌FF100R12KS4是針對中高頻率應用市場開發的,在變頻器中的應用實現了系統的高效率和小型化,其開關頻率在20~50kHz的應用場合能發揮最大優良特性 。而在典型情況下,FF100R12KS4 IGBT模塊的優化,所針對的載波頻率卻是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通態壓降和開關損耗之間有一個折衷關系。高速模塊在進行性能折衷時,是讓通態電壓偏大,以換取偏低的開關功耗,從而能在高頻應用中實現低的總功耗。 FF100R12KS4主要應用領域:醫療應用 、 電機傳動 、諧振逆變器應用 .
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